當(dāng)前標(biāo)簽：CVD鉆石培育設(shè)備
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MPCVD鉆石生長爐真空腔體1、極限真空-5Pa2、出廠漏率1.3*10-10Pa·M3/S3、根據(jù)圖紙生產(chǎn)，或安需求設(shè)計(jì)4、可做全套真空部分，含內(nèi)部樣品盤驅(qū)動鉆石爐腔體、MPCVD設(shè)備、微波晶體生長設(shè)備，CVD鉆石培育設(shè)備——按照客戶要求
