當(dāng)前標(biāo)簽:微波晶體生長(zhǎng)設(shè)備
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MPCVD鉆石生長(zhǎng)爐真空腔體1、極限真空-5Pa2、出廠漏率1.3*10-10Pa·M3/S3、根據(jù)圖紙生產(chǎn),或安需求設(shè)計(jì)4、可做全套真空部分,含內(nèi)部樣品盤(pán)驅(qū)動(dòng)鉆石爐腔體、MPCVD設(shè)備、微波晶體生長(zhǎng)設(shè)備,CVD鉆石培育設(shè)備——按照客戶要求